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應用案例

FRAM對比,MRAM的優勢在哪兒?


 STT-MRAM已成為最受關注的新一代存儲半導體技術之一。該產品使用了可通過Spin-Torque傳遞轉換的兩種穩定的磁化狀態(Magnetic State),使處理速度非常快,耐久性也非常出色。

MRAM利用磁性來維持數據,因此即使不提供額外的電力,數據也能維持,電力消耗較少,器件的尺寸也非常小,因此可以制造出比現在更高密度的半導體。另外,由于只改變物質磁性的方向,半導體的耐久性好,儲存和讀取數據的速度也很快。

相比FRAM鐵電,MRAM性能更加強勁,無論是PPI和SPI接口,讀寫速度更快可以做到35ns,支持無限次讀寫,超寬的耐溫范圍-40 - 150度,可實現超過20年的數據記錄。

FRAM預充電期間如發生系統斷電,則數據將被損壞,而STT-MRAM不會出現這種問題。在容量密度方面FRAM容量相對較小,可擴展性受限,而STT-MRAM支持 1Mb~1Gb。其可伸縮性好而得到很好的應用。在工藝技術方面,FRAM需要3D結構才能達到65nm工藝,而STT-MRAM 可達到28nm,以及將來的12nm制程工藝。以實現更少的發熱和更好的能耗比,以及成本上的減少。


 



    Netsol品牌是三星投資的旗下企業,MRAM產品采用三星28納米制程,三星技術基礎上進行應用端的研發設計。MRAM產品可與 Everspin、Avalache、Infineon/Cypress、Fujitsu、RENESAS品牌系列兼容替代, 品質與價格優勢贏得客戶青睞。Netsol致力于開發和銷售高質量、高可靠性的工業級存儲產品。

產品型號

# Serial STT-MRAM


Package

Temp

Speed

Part Number


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A1004V0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A1004V0M-AI1A


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A1004R0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A1004R0M-AI1A


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A2004V0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A2004V0M-AI1A


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A2004R0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A2004R0M-AI1A


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A4004V0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A4004V0M-AI1A


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A4004R0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A4004R0M-AI1A


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A8004V0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A8004V0M-AI1A


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A8004R0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A8004R0M-AI1A


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A1604V0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A1604V0M-AI1A


8 WSON

-40~85C

108MHz

S3A1604R0M-JI1A


8 SOP

-40~85C

108MHz

S3A1604R0M-AI1A



# Parallel STT-MRAM

 

 


 

 

 

Density

Org

VCC

Package

Temp

Speed

Part Number

1M

x16

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R1016V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R1016V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R1008V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R1008V1M-XI70

2M

x16

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R2016V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R2016V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R2008V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R2008V1M-XI70

4M

x16

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R4016V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R4016V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R4008V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R4008V1M-XI70

8M

x16

3.3

54 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R8016V1M-PI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R8016V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R8008V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R8008V1M-XI70

16M

x16

3.3

54 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R1616V1M-PI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R1616V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R1608V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R1608V1M-XI70

▌應用領域


物聯網:智能電表/水表/燃氣表/可穿戴自動售賣機/攝像頭/硬盤錄像機

醫療:呼吸機/血液透析機/CT掃描儀/助聽器/健康監測設備/

工控設備:工業PC/PLC/運動控制/無人機/網絡服務器/數據采集器/企業SSD/電梯/機器人/電機編碼器

汽車電子:電池管理系統(BMS)、智能安全氣囊/自動駕駛輔助系統(ADAS)/導航和信息娛樂系統/發動機控制單元(ECU)/事件數據記錄器(EDR)/動力總成系統



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