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應用案例

低功耗，高性能：MRAM芯片加速物聯網節奏

物聯網 (IoT) 將眾多智能設備利用互聯網協議技術連接起來，使它們能夠相互通信。

MRAM持久性，結合極低的能耗模式，使物聯網節點的代碼和數據能夠在極小的形狀因素下從能源收割機或電池源操作。啟動時間通常是物聯網節點的一個重要考慮因素。MRAM利用原地算法（code-in-place）結構可減少所需的啟動時間，由于對DRAM或SRAM的需求更少，所以減少了總體材料清單成本。
因此，用MRAM替代SRAM和閃存，就可以實現低功耗、高性能，這對于物聯網中的邊緣終端非常重要。將MRAM集成到物聯網芯片的后端互連層中，相比于現有利用SRAM和eFlash架構，能夠實現更小的裸片尺寸和更低的成本。

從物聯網的應用程序來看，隨著通過多種傳感器收集處理數據并以二次電池等電池為動力進行運作的產品不斷增加，對低電力存儲器的需求也正在增大。

與其他現有存儲器不同，MRAM消耗電流低、耐久性高，因而是非常適合物聯網的存儲器。

MRAM的主要優勢如下
· 近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數）
· 低功耗
· 保證突發斷電時的安全，恢復時間短
· 長期保存數據（10 年）

# Serial STT-MRAM 串口

容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb
電源供應：1.8V（1.71V～1.98V）或3.3V（2.7V～3.6V）
具有SDR和DDR串行接口兼容性的單線、雙線和四線SPI。
數據保存期：10年
讀取耐力：無限
寫入耐力 : 1014
無需外部ECC
工業標準引腳及封裝：8WSON、8SOP

Density	Part Number	Interfaces	VDD(V)	Frequency(MHz) SDR/DDR	Temperature	Package
1M bit	S3A1004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
1M bit	S3A1004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
2M bit	S3A2004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
2M bit	S3A2004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
4M bit	S3A4004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
4M bit	S3A4004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
8M bit	S3A8004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
8M bit	S3A8004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
16M bit	S3A1604V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
16M bit	S3A1604R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
32M bit	S3A3204V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
32M bit	S3A3204R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP

# Parallel STT-MRAM 并口

容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb, 64Mb
電源供應：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V）
Parallel 異步接口 x16/x8 I/O
數據保存期：10年
讀取耐力：無限
擦寫耐力 : 1014
無需外部ECC
封裝：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2

Density	Part Number	Interfaces	VDD(V)	Frequency(MHz) SDR/DDR	Temperature	Package
1M bit	S3A1004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
1M bit	S3A1004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
2M bit	S3A2004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
2M bit	S3A2004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
4M bit	S3A4004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
4M bit	S3A4004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
8M bit	S3A8004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
8M bit	S3A8004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
16M bit	S3A1604V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
16M bit	S3A1604R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
32M bit	S3A3204V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
32M bit	S3A3204R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP

# MRAM 晶圓

KGD產品以晶圓形式交付，無需切割。

除標準存儲器產品以外，Netsol還提供KGD（Known Good Die）內存產品。

KGD存儲器可以簡化系統設計并減小器件尺寸，是芯片組供應商向客戶提供系統級封裝 (SiP) 解決方案時最受歡迎的方案。

Netsol的KGD 內存產品具有與單獨產品相同的質量及性能特征。

兩種類型的產品皆在使用相同的生產和測試程序進行嚴格驗證后獲得認證。

* 所有 SPIMRAM和PPIMRAM產品都以KGD選項交付。
* 專門技術支持團隊支持KGD客戶的特定需求