MRAM存儲解鎖助聽器的自適應功能
數(shù)字助聽器今天不僅僅是用戶的簡單聲音放大裝置。它們被設計用于改善語音理解，過濾掉不需要的外部背景噪音，同時增強所需聲音的音量和清晰度。具有藍牙連接功能的數(shù)字助聽器，還可以作為無線耳機使用，連接到手機和其他設備，用于通話，并流式傳輸音樂和視頻。使用應用不僅僅適用于聽力受損者，還包括聽力保護和隱秘通信。這些可以包括主動聽力保護，以及用于安全和執(zhí)法、工業(yè)和航空的單向和雙向通信。
為了實現(xiàn)這些關鍵功能，助聽器利用聲音處理器來解釋多個音頻頻率和級別。由助聽器麥克風捕捉到的聲音波被發(fā)送到處理器，將信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信息，然后增強并放大給佩戴者。為了實現(xiàn)最佳聽覺效果，處理器根據(jù)不同的用戶情境或環(huán)境決定要增強或減弱哪些音頻頻率。此外，為了使處理器能夠解釋的聲音必須以對耳朵來說無法察覺的聲音延遲重新傳輸。
數(shù)字助聽器中使用韓國NETSOL品牌的 MRAM存儲芯片是各種聽覺環(huán)境下優(yōu)化聽覺反應的基本要素。非易失性記憶記錄用戶對不同的音頻條件（如音量水平和音頻頻率）的不同使用活動和聲學反應。記錄的數(shù)據(jù)可以識別特定的聲音環(huán)境，有條件地激活適合個體用戶的適當程序，具有校準的音量和頻率響應。
對于聽覺和通信助聽器中的多個程序的操作，非易失性存儲器所需的特定操作是連續(xù)寫入和讀取。存儲器還必須在電池充電之間具有長時間的使用壽命，并在保持微小尺寸的同時以無法察覺的聲音延遲運行。
在不同非易失性存儲器技術中，磁阻隨機存取存儲器（MRAM）在數(shù)字助聽器中具有最多的優(yōu)勢。
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用戶配置存儲：助聽器需要存儲用戶的個性化配置，例如音量設置、音頻頻率偏好和不同環(huán)境下的聲音處理參數(shù)。MRAM可以可靠地存儲這些配置，即使在助聽器電池更換時也不會丟失設置。
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環(huán)境識別和自適應調(diào)整：助聽器可以使用MRAM存儲來記錄不同聽覺環(huán)境下的音頻響應和用戶反饋。這使助聽器能夠識別不同的聲音環(huán)境并相應地調(diào)整音量和音頻處理，以提供最佳的聽覺體驗。
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快速啟動和配置恢復：MRAM的快速讀取速度和低延遲訪問確保了助聽器在斷電或重新啟動后能夠快速恢復到先前的配置設置，包括音量、音頻頻率和環(huán)境模式。
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連續(xù)數(shù)據(jù)記錄：MRAM具有連續(xù)數(shù)據(jù)記錄的能力，這對于存儲用戶的聽覺活動歷史和環(huán)境適應性非常重要。這些記錄可以幫助助聽器更好地理解用戶的聽覺需求，并自動調(diào)整設置以提供最佳效果。
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節(jié)能：MRAM的能源效率非常高，特別是在需要頻繁寫入數(shù)據(jù)的情況下。它的低能耗特性對于延長助聽器電池壽命至關重要，減少用戶更換電池的頻率。
總之，韓國NETSOL品牌的 MRAM存儲芯片在助聽器中的應用可以提高用戶的聽覺體驗，使助聽器更智能、更易于使用，并且能夠在不同的聽覺環(huán)境中提供個性化的聽覺支持。由于其高性能和穩(wěn)定性，韓國NETSOL品牌的 MRAM存儲芯片成為了助聽器制造商的有力選擇，以滿足不同用戶的聽覺需求。
# Serial STT-MRAM 串口
容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb
電源供應 ：1.8V（1.71V～1.98V）或3.3V（2.7V～3.6V）
具有SDR和DDR串行接口兼容性的單線、雙線和四線SPI。
數(shù)據(jù)保存期 ：10年
讀取耐力 ：無限
寫入耐力 : 1014
無需外部ECC
工業(yè)標準引腳及封裝 ：8WSON、8SOP
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Density
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Part Number
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Interfaces
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VDD(V)
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Frequency(MHz) SDR/DDR
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Temperature
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Package
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1M bit
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S3A1004V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A1004R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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2M bit
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S3A2004V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A2004R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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4M bit
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S3A4004V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A4004R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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8M bit
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S3A8004V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A8004R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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16M bit
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S3A1604V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A1604R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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32M bit
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S3A3204V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A3204R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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# Parallel STT-MRAM 并口
容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb, 64Mb
電源供應 ：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V）
Parallel 異步接口 x16/x8 I/O
數(shù)據(jù)保存期 ：10年
讀取耐力 ：無限
擦寫耐力 : 1014
無需外部ECC
封裝 ：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2
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Density
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Part Number
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Interfaces
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VDD(V)
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Frequency(MHz) SDR/DDR
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Temperature
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Package
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1M bit
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S3A1004V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A1004R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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2M bit
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S3A2004V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A2004R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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4M bit
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S3A4004V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A4004R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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8M bit
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S3A8004V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A8004R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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16M bit
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S3A1604V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A1604R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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32M bit
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S3A3204V0M
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Single/Dual/Quad SPI
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2.70~3.60
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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S3A3204R0M
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Single/Dual/Quad SPI
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1.71~1.98
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108MHz/54MHz
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-40℃ to 85℃
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8WSON, 8SOP
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